製品概要 ：

<特徴>
・パッシブQスイッチ
・独自の特許取得済みマイクロチップ設計
・波長532 nmでのsub-nsパルス（600 ps〜1 ns）
・最大50kHzの繰り返し率
・最大150mWの平均パワー
・最大15kWのピークパワー
・外部でトリガー可能
・アナログまたは数値制御を備えた電源

アプリケーション ：

・LIDAR
・バイオフォトニクス
・MALDI
・顕微解剖
・レーザー誘起蛍光（LIF）
・レーザー誘起破壊分光法（LIBS）
・ラマン分光法
・マイクロマシニング

製品詳細

製品概要 ：

<特徴>
・パッシブQスイッチ
・独自の特許取得済みマイクロチップ設計
・波長1064 nmでのsub-nsパルス（450 ps〜2 ns）
・繰返しレート : up to 70kHz
・最大500mWの平均パワー
・最大30kWのピークパワー
・アナログまたは数値制御を備えた電源

アプリケーション ：

・マイクロマシニング
・ファイバアンプのレーザーシード
・LIDAR
・3Dスキャン
・3Dイメージング
・バイオフォトニクス
・CARS励起
・スーパーコンティニウム光生成

製品詳細

製品概要 ：

<特徴>
・軽量コンパクトなパッケージ
・レーザーヘッド : <100g
・パッシブQスイッチ
・独自のマイクロチップ設計
・密封パッケージ
・クリーンパルス
・外部でトリガー可能
・空冷式

アプリケーション ：

・マイクロマシニング
・LIDAR
・バイオフォトニクス

製品概要 ：

この製品は、パッケージ化されたInGaAsフォトダイオード（PD）であり、高い光入力電力と出力電流の直線性に最適化されています。
このPDは、高ダイナミックレンジ、低雑音指数、および高RFゲインを必要とするRFoverFiberリンクおよびその他のアプリケーション向けに設計されています。
内部コンポーネントは、過酷な温度、振動、およびその他の環境条件下での長期的な信頼性と性能の安定性のために、はんだ付けおよびレーザー溶接されています。
このフォトダイオードは、内部50Ω終端なしでパッケージ化されており、最大のRFゲインを得るためにDC結合出力を備えています。
これは、RF出力ポートに接続された外部バイアスTを介して加えられた負のバイアスで動作します。

アプリケーション ：

・RF over fiber interconnects requiring high gain, high dynamic range, and low noise figure
・RFoF links in harsh environments
・Microwave photonics

製品概要 ：

この製品は、ARX20 / 40シリーズ光検出器（PD）を使用した卓上モジュールであり、フロントパネルにバイアス電源とバイアス電流モニターディスプレイが統合されています。
内蔵の充電式バッテリーは、PDに安定したバイアスを提供します。
InGaAs PDは、高入力光パワーと出力電流の直線性に最適化された独自のチップ設計を使用しています。
受信機は、低相対強度ノイズ（RIN）光送信機で使用するように設計されており、ファイバーリンクを介して高性能RFを実装します。
PDは、信頼性と耐久性のために、はんだ付けとレーザー溶接を使用して密閉されたパッケージにパッケージ化されています。
光信号入力とRF出力は、それぞれのフロントパネルコネクタを介して行われます。

アプリケーション ：

・RF over fiber interconnects requiring high gain, high dynamic range, and low noise figure
・Laboratory or system test laboratory RF over fiber links
・Multi-level modulation communication receivers